RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link