RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link