RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link