RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
62
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link