RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link