RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2566
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link