RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2566
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link