RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2515
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link