RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905599-020.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2515
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link