RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905599-020.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2515
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link