RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2325
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link