RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link