RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
65
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1875
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link