RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2365
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link