RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
3169
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link