RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2243
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link