RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2243
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link