RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2040
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link