RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3136
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link