RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link