RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-006.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link