RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
42
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
8.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link