RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
42
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
8.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
42
Velocità di lettura, GB/s
16.0
8.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link