RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
95
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
95
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1725
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link