RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link