RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link