RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link