RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link