RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
57
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
57
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link