RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
57
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link