RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
57
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link