RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link