RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link