RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link