RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XF875V-MIH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XF875V-MIH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2785
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link