RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston XF875V-MIH 8GB

Kingston XF875V-MIH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 34
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.8
    テスト平均値
Kingston XF875V-MIH 8GB 考慮すべき理由
Kingston XF875V-MIH 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 12.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 2785

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Kingston XF875V-MIH 8GB RAMの比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
メモリRAM