RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3105
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link