RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link