RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link