RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link