RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link