RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
57
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
57
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2213
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link