RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2081
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link