RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
36
Velocità di lettura, GB/s
16.0
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2081
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link