RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link