RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link