RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3221
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link