RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1688
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link