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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
77
Intorno 52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
77
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1688
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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