RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link