RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3001
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link