RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link