RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8KTF25664AZ-1G6M1 2GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link