RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link